Datasheet下载- 型号： NTLJF3118NTBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJF3118NTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJF3118NTBG价格参考。ON SemiconductorNTLJF3118NTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJF3118NTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJF3118NTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJF3118NTBG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型无铅封装（SOT-723，尺寸仅约1.0×0.6×0.4 mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为1.2Ω @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9 nC）和低阈值电压（Vgs(th)：–0.3V至–1.0V），适合低压、小电流开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，利用其低静态电流与快速开关特性实现高效启停控制； ✅ LED驱动与背光控制：作为低侧/高侧开关，用于OLED/LCD屏幕背光调光或指示LED的通断控制； ✅ USB接口过流/反向电流保护：配合限流IC，防止反向馈电或热插拔冲击； ✅ IoT传感器节点与可穿戴设备：在空间受限、功耗敏感的微系统中，用于MCU外设供电的按需使能（Power-Gating）； ✅ DC-DC转换器同步整流辅助开关（在特定低压Buck架构中作辅助P-MOS开关，但主功率级通常需更高规格器件）。 注意：该器件最大漏源电压Vds = –20V，连续漏极电流Id = –280mA（Ta=25°C），不适用于大功率或高压场景。设计时需注意PCB散热及栅极驱动兼容性（尤其在低Vgs下确保充分导通）。总体定位为高集成度、微型化、电池供电类终端的精密低压开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJF3118NTBG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 271pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
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