Datasheet下载- 型号： NTLJD3181PZTBG
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD3181PZTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD3181PZTBG价格参考。ON SemiconductorNTLJD3181PZTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJD3181PZTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJD3181PZTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJD3181PZTBG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列（采用MicroFET™ 2x2mm封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为85mΩ @ Vgs = –4.5V）、逻辑电平驱动（–1.8V阈值）、小尺寸及高功率密度等特点。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关或电池保护电路，利用其双P-MOSFET结构实现高效反向电流阻断与低功耗待机控制； - DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器的高端/低端开关或双路输出中，作为同步整流管提升效率（尤其适用于3.3V/5V输入系统）； - 热插拔与电源排序电路：双通道独立控制特性便于实现多电源轨的上电时序管理或过流保护； - LED背光驱动与RGB灯控：用于中小电流LED的PWM调光开关，低栅极电荷（Qg ≈ 4.5nC）支持高频开关； - 工业与IoT传感器节点：在空间受限的电池供电模块中，替代分立MOSFET以节省PCB面积并提高可靠性。 该器件不适用于高压（>20V）或大电流（连续ID >2.5A）场景，设计时需注意散热（建议敷铜散热）及栅极驱动稳定性。总体适用于对尺寸、效率和集成度要求较高的低压、中低功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJD3181PZTBG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A |
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