Datasheet下载- 型号： NTLJD2105LTBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD2105LTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD2105LTBG价格参考。ON SemiconductorNTLJD2105LTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJD2105LTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJD2105LTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJD2105LTBG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道、N沟道增强型功率MOSFET阵列（采用超小型无铅DFN6封装，尺寸仅2×2 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 38 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池保护电路及LED背光驱动，利用其小尺寸与低功耗优势节省PCB空间； - DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为高边/低边开关（需搭配驱动电路），提升转换效率； - USB端口/Type-C接口过流保护与热插拔控制：双MOSFET结构便于构建反向阻断或双向电流控制电路； - 马达驱动与LED驱动：适用于微型振动马达、RGB LED恒流控制等中小功率负载的PWM调光/调速； - 逻辑电平兼容接口：支持1.8 V–4.5 V TTL/CMOS驱动，可直接由MCU GPIO控制，简化外围设计。 该器件工作结温范围为−55°C至+150°C，具备ESD防护（HBM ≥ 2 kV），适用于对空间、能效和可靠性要求较高的消费类及工业级嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTLJD2105LTBG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 520mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A |
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