Datasheet下载- 型号： NTHD5905T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD5905T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD5905T1价格参考。ON SemiconductorNTHD5905T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD5905T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD5905T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD5905T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-23-6封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为85mΩ @ Vgs = –4.5V）、小尺寸、高集成度和逻辑电平兼容等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关与电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应。 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或反激式转换器中，作为同步整流管（尤其适用于低侧或双路互补驱动拓扑），提升转换效率并减小发热。 3. H桥驱动与电机控制：配合N沟道MOSFET构成半桥或H桥，用于微型直流电机、振动马达、LED背光调光等低压（≤20V）驱动场景，支持PWM调速与方向控制。 4. 热插拔与USB端口保护：在USB 2.0/3.0接口或Type-C电源路径中，用作过流/反向电流防护开关，防止浪涌与反灌。 5. 逻辑电平转换与信号切换：利用其低阈值电压（Vgs(th)约–1.0V至–2.5V），可直接由3.3V/5V MCU GPIO驱动，实现I/O信号隔离或电源域切换。 该器件不适用于大电流（连续ID ≤1.7A）、高压（Vds = –20V）或高功率散热场景，设计时需注意PCB散热及栅极驱动稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD5905T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD5905T1OS |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A |
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