Datasheet下载- 型号： NTHD5904T1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD5904T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD5904T1价格参考。ON SemiconductorNTHD5904T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD5904T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD5904T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD5904T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用超小型SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为35mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路及LED背光驱动，得益于小尺寸和低功耗优势； 2. DC-DC转换器与同步整流：在微型降压（Buck）转换器中用作同步整流MOSFET，提升效率并减小PCB面积； 3. H桥或半桥驱动电路：双MOSFET结构便于构建低压（≤20V）电机驱动（如微型振动马达、摄像头对焦机构）或LED调光控制； 4. USB端口保护与热插拔控制：配合限流/过压保护IC，实现USB 2.0/3.0接口的浪涌抑制与电源路径管理； 5. IoT传感器节点与可穿戴设备：在空间受限的低功耗系统中，用于外设供电使能控制或信号切换。 需注意：该器件额定电压为20V，连续漏极电流为1.5A（Ta=25℃），不适用于高压或大功率场景。设计时应关注PCB散热、驱动电压匹配（推荐Vgs≥2.5V以确保充分导通）及ESD防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD5904T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD5904T1OS |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A |
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