Datasheet下载- 型号： NTHD5903T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD5903T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD5903T1G价格参考。ON SemiconductorNTHD5903T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD5903T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD5903T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD5903T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-23-6封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅180mΩ @ Vgs = –4.5V）、小尺寸、逻辑电平驱动（–1.8V阈值）及ESD保护等特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关与电池保护电路，用于控制外设供电通断，降低静态功耗； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中作为同步整流管（尤其适用于低电压、中低电流输出级），提升转换效率； 3. H桥/半桥驱动电路：配合N沟道MOSFET构成紧凑型电机驱动模块，用于微型直流电机、振动马达或LED调光控制； 4. 热插拔与USB端口保护：实现过流/反向电流防护，支持即插即用安全供电； 5. 工业与IoT传感器节点：在空间受限的电池供电传感器模块中，用于信号路径隔离、电源域切换或I²C/SPI总线电平转换的上拉控制。 该器件无需外部驱动电路即可由MCU GPIO直接控制，适合对尺寸、功耗和成本敏感的中低功率（<2A连续电流）应用。注意设计时需考虑散热及PCB布局以保障稳定工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD5903T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 155 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD5903T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A |
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