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- 型号： NTHD4P02FT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD4P02FT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD4P02FT1价格参考。ON SemiconductorNTHD4P02FT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD4P02FT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD4P02FT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD4P02FT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 85 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为–20 V，连续漏极电流为–3.5 A（TA = 25°C），适合低压、中低功率场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，利用其低功耗与小尺寸优势； ✅ DC-DC转换器中的同步整流/高边开关：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为P-MOSFET实现高效、紧凑的电源设计； ✅ LED驱动与背光控制：用于OLED/LCD屏幕的背光调光或LED电流开关，支持PWM调光； ✅ 接口保护与热插拔电路：配合限流/过压保护IC，实现USB、SIM卡槽、SD卡等外设端口的电源通断控制； ✅ 电机驱动辅助电路：在微型直流电机或振动马达的H桥驱动中用作上桥臂开关（需注意驱动电压匹配）。 该器件无铅、符合RoHS，具备ESD防护（HBM ≥ 2 kV），适用于空间受限、对能效和可靠性要求较高的消费类及工业嵌入式系统。使用时需注意栅极驱动电压范围（–20 V ~ +20 V），避免负压过冲，并合理布局PCB以降低寄生电感影响开关性能。
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