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- 型号： NTHD4N02FT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD4N02FT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD4N02FT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD4N02FT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD4N02FT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD4N02FT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD4N02FT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-723超小型封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为120mΩ @ Vgs = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.5nC）及快速开关特性。其额定电压为−20V，连续漏极电流为−0.45A（Ta=25℃），适合低压、小电流、空间受限的便携式电子系统。 典型应用场景包括： 1. 便携设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关，用于控制USB接口、传感器或LED等外设供电的启停，实现低功耗待机与快速响应； 2. 电池保护电路：在单节锂离子/聚合物电池（2.5–4.2V）系统中，作为反向电流阻断（Reverse Current Blocking）开关，防止电池在关机或充电异常时被反向放电； 3. 逻辑电平转换与信号切换：配合MCU GPIO驱动，实现3.3V/1.8V系统中的低侧开关或电平翻转控制； 4. DC-DC转换器辅助电路：在同步降压或升降压拓扑中，用作高边或低边辅助开关（适用于轻载阶段），提升轻载效率； 5. LED背光/指示灯驱动：驱动小电流LED（≤400mA），支持PWM调光，凭借小封装节省PCB面积。 该器件无铅、符合RoHS，且具备ESD防护（HBM ≥2kV），适用于高可靠性消费电子与工业IoT终端。需注意：因电流能力有限，不适用于电机驱动或大功率负载场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD4N02FT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD4N02FT1GOS |
| 功率-最大值 | 910mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A （Tj） |
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