Datasheet下载- 型号： NTHD4502NT1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD4502NT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD4502NT1价格参考。ON SemiconductorNTHD4502NT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD4502NT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD4502NT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD4502NT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-23-6封装），具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 95 mΩ @ Vgs = –4.5V）、小尺寸、高集成度和逻辑电平兼容（–1.8V阈值）等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关与电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应。 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中，作为同步整流管（尤其适用于低电压输出侧），提升转换效率并减小发热。 3. H桥驱动与电机控制：配合N沟道MOSFET构成半桥或H桥，驱动微型直流电机、振动马达或LED背光调光，适用于玩具、可穿戴设备等空间受限场景。 4. 热插拔与USB端口保护：集成于USB Type-C接口或PD协议模块中，实现过流/反向电流防护及受控上电时序。 5. 逻辑电平转换与信号切换：利用其双路独立结构，实现低电压（1.8V/3.3V）系统中的双向信号选通或电平移位。 该器件不适用于大电流（连续ID ≤ 1.7A）或高压（Vds = –20V）主功率场合，但凭借双通道集成、小封装与低驱动要求，在空间敏感、中低功率、需多路独立控制的消费类与工业嵌入式系统中优势显著。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD4502NT1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 640mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A |
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