Datasheet下载- 型号： NTHD4401PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD4401PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD4401PT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD4401PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD4401PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD4401PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD4401PT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-23-6封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅150mΩ @ Vgs = –4.5V）、小尺寸、高集成度及逻辑电平兼容（–1.8V阈值电压）等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应。 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（配合外部N-MOSFET），提升转换效率并减小发热。 3. H桥驱动与电机控制：适用于微型直流电机、振动马达或LED背光的双向/调光控制（需搭配N沟道器件构成半桥）。 4. 热插拔与USB端口保护：在USB 2.0/3.0接口中用作过流/反向电流防护开关，防止带电插拔引起的系统干扰。 5. 工业与IoT传感器节点：用于MCU外围电路的电源域隔离、传感器供电使能控制，满足空间受限与低静态电流需求。 该器件支持无铅、符合RoHS标准，工作结温范围–55°C至+150°C，适合高可靠性、紧凑型设计场景。注意其为P沟道，常用于高侧开关，使用时需确保栅极驱动电压低于源极（如由MCU GPIO直接驱动需电平匹配）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD4401PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 155 毫欧 @ 2.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD4401PT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A |
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