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- 型号： NTGS1135PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGS1135PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGS1135PT1G价格参考。ON SemiconductorNTGS1135PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGS1135PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGS1135PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGS1135PT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23-3小型表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为85mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5nC）及快速开关特性。其额定电压为–20V，连续漏极电流为–2.9A（Tc=25°C），适合低压、中低功率应用。 典型应用场景包括： ✅ 负载开关：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的电源管理模块，实现对USB接口、传感器、LED或RF模块的高效启停控制，降低待机功耗； ✅ 反向电压保护电路：利用P-MOSFET体二极管方向特性，配合外部电路实现输入端防反接保护（如电池供电系统、USB Type-C接口）； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器次级侧作为同步整流管，提升转换效率（尤其在12V/5V转3.3V/1.8V等低压差场景）； ✅ H桥驱动中的上桥臂（需电平移位）：适用于微型电机驱动（如振动马达、小风扇）或LED调光电路，但需注意其P沟道特性对驱动设计的要求； ✅ 热插拔/浪涌抑制电路：配合限流电阻与RC网络，提供软启动和过流保护功能。 该器件凭借小尺寸、高可靠性及AEC-Q101兼容性（部分批次），亦可用于汽车电子中的车身控制模块（如车灯控制、座椅调节）等非安全关键低压应用。使用时需注意栅极驱动电压范围（–20V至+8V）、静电防护及PCB散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTGS1135PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 970mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Ta） |
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