Datasheet下载- 型号： NTD95N02RT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD95N02RT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD95N02RT4G价格参考。ON SemiconductorNTD95N02RT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD95N02RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD95N02RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD95N02RT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.0 mΩ @ Vgs=10V）、高连续漏极电流（ID=95A @ TC=25°C）及优良的开关性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动电路：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在主板、显卡、嵌入式系统中用作高效热插拔/电源使能开关，具备快速关断与过流保护兼容性； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：该型号为工业级，非车规版；若需车规应用，应选用同系列AEC-Q101认证型号如NTD95N02R*G的车规版本），可用于车身控制模块、LED照明驱动等非安全关键场景； - 电池管理系统（BMS）：用于充放电回路的主控开关，配合外部驱动实现低损耗通断控制。 其高可靠性、低热阻（RθJC=1.6°C/W）和宽工作结温（–55°C ~ +175°C）使其特别适合空间受限且对散热与效率要求较高的中大电流应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD95N02RT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 32A （Tc） |
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