Datasheet下载- 型号： NTD95N02RT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD95N02RT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD95N02RT4价格参考。ON SemiconductorNTD95N02RT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD95N02RT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD95N02RT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD95N02RT4 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.0 mΩ @ Vgs=10V）、高连续漏极电流（ID=95A @ TC=25°C）及优良的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥下管或功率开关，支持高频PWM控制； 3. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、打印机、POS终端等设备中用作主板/模块的主电源开关或热插拔保护器件； 4. 电池管理系统（BMS）：作为充放电路径的主控MOSFET，配合保护IC实现过流、短路保护； 5. LED照明驱动：用于大电流LED恒流驱动电路的调光开关或PWM调光主开关。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、强雪崩耐受能力及优化的栅极电荷（Qg≈70nC），兼顾快速开关与低损耗，适合中高功率、中高频（数十kHz至数百kHz）应用。需注意PCB散热设计（建议大面积铜箔+过孔散热），并合理配置栅极驱动电阻以防振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD95N02RT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 32A （Tc） |
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