Datasheet下载- 型号： NTD70N03RT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD70N03RT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD70N03RT4G价格参考。ON SemiconductorNTD70N03RT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD70N03RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD70N03RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD70N03RT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDS = 30 V、ID（连续）= 70 A（TC = 25°C）、RDS(on) ≈ 6.5 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通电阻、快速开关特性及良好热稳定性。 该器件主要应用于中等功率、高效率的直流电源管理与功率控制场景，例如： - DC-DC转换器（如Buck电路中的同步整流开关或主开关）； - 电机驱动电路（如风扇、小型直流电机、步进电机的H桥下管/上管）； - 电源适配器与充电器中的次级侧同步整流或初级侧开关（适用于30 V输入系统）； - LED驱动电源（恒流/恒压控制回路中的PWM开关元件）； - 电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关（如电子保险丝、负载开关）； - 工业控制板、智能家电电源模块等需高可靠、低成本、高电流能力的场合。 其TO-252封装便于PCB散热设计，适合自动化贴片生产；符合AEC-Q101（部分批次），亦可用于车载辅助系统（如车灯控制、座椅调节）。注意实际应用中需配合合适栅极驱动、散热设计及过流/过温保护措施。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET PWR N-CHAN 25V 72A DPAKMOSFET 25V 75A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 72 A |
| Id-连续漏极电流 | 72 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD70N03RT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD70N03RT4G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.87 W |
| Pd-功率耗散 | 1.87 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 1.3 ns |
| 下降时间 | 1.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1333pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD70N03RT4GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 18.4 ns |
| 功率-最大值 | 1.36W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.6 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 72 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta）， 32A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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