Datasheet下载- 型号： NTD65N03R
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD65N03R由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD65N03R价格参考。ON SemiconductorNTD65N03R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD65N03R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD65N03R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD65N03R 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有30V耐压、65A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅4.5mΩ @ Vgs=10V），并具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK/BOOST转换器的主开关或同步整流管，提升效率（尤其在12V输入、3.3V/5V/12V输出的中功率电源模块中）； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动下臂开关，支持高频PWM调速； ✅ 负载开关与电源管理：在工业控制板、网络设备（如PoE供电接口）、LED驱动电源中用作高效电子保险丝或热插拔保护开关； ✅ 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否通过，标准版NTD65N03R为工业级，但部分衍生型号已车规化），可用于车身控制模块（BCM）、座椅调节、风扇控制等非安全关键应用； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电回路的主控MOSFET，配合保护IC实现过流/短路保护。 该器件凭借低Rds(on)和优化的栅极电荷（Qg≈45nC），兼顾导通损耗与开关损耗，适合中高频率（≤500kHz）、中等功率（数十瓦至百瓦级）应用，且TO-252封装便于PCB布局与散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD65N03R |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta）， 32A （Tc） |
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