Datasheet下载- 型号： NTD6416AN-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD6416AN-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD6416AN-1G价格参考。ON SemiconductorNTD6416AN-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD6416AN-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD6416AN-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD6416AN-1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其典型应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS) - NTD6416AN-1G 的低导通电阻（Rds(on) = 0.038 Ω @ Vgs = 10V）和高漏极电流能力（Id = 72 A），使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - 应用于 DC-DC 转换器、降压或升压电路中，提供高效的功率转换。 2. 电机驱动 - 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停、方向和速度。 - 其快速开关特性和低导通损耗有助于提高电机驱动效率。 3. 负载开关 - 在需要动态控制负载通断的场景中，如汽车电子、工业设备或消费电子产品，NTD6416AN-1G 可用作高效负载开关。 - 支持大电流负载切换，同时保持较低的功率损耗。 4. 电池管理 - 在电池管理系统（BMS）中，该 MOSFET 可用于保护电路，实现过流保护、短路保护或电池充放电控制。 - 适用于电动车、电动工具、UPS 等应用中的电池管理。 5. 逆变器 - 在光伏逆变器或小型逆变器中，NTD6416AN-1G 可用于功率级开关，将直流电转换为交流电。 - 其高电流能力和低导通电阻有助于提高逆变器效率。 6. 汽车电子 - 该器件符合汽车级应用要求（具体需参考数据手册确认），可应用于汽车电子中的各种功率控制场景，如车窗升降、座椅调节、LED 照明驱动等。 7. 工业自动化 - 在工业自动化设备中，可用作电磁阀、继电器或传感器的驱动开关。 - 支持高频率开关操作，满足现代工业设备对效率和可靠性的需求。 总结 NTD6416AN-1G 的主要优势在于其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，适用于需要高效功率转换和控制的场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域，该器件都能提供可靠的性能支持。在实际应用中，需根据具体电路设计要求选择合适的驱动电压和散热方案，以确保其稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A IPAKMOSFET NFET IPAK 100V 15A 86MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD6416AN-1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD6416AN-1G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 71 W |
| Pd-功率耗散 | 71 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 73 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 73 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 81 毫欧 @ 17A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | NTD6416AN-1G-ND |
| 功率-最大值 | 71W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 73 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
