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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5862N-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5862N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD5862N-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD5862N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD5862N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD5862N-1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值为14mΩ @ Vgs=10V)、高连续漏极电流(ID=60A)和优良的开关特性。其主要应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于中大功率降压(Buck)转换器、同步整流电路,提升效率并减小散热需求; - 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机及风扇驱动模块,支持PWM调速与高效能控制; - 电源管理与负载开关:在服务器、通信设备、工业控制板中用作高侧/低侧开关或热插拔保护器件; - LED照明驱动:用于恒流驱动电路及调光控制,满足高可靠性与长寿命要求; - 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101标准(注:需确认具体批次是否通过认证),可用于车载充电模块、车身控制单元(BCU)等非安全关键应用。 该器件具备良好的雪崩耐受能力与ESD防护,适合在中频(≤500kHz)开关环境下稳定工作。设计时建议配合合适的栅极驱动与散热措施(如PCB铜箔散热),以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 90A DPAKMOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 98 A |
| Id-连续漏极电流 | 98 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD5862N-1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD5862N-1G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 115 W |
| Pd-功率耗散 | 115 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.7 毫欧 @ 45A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 98A (Tc) |
| 配置 | Single |