【未分类_NTD4965N-1G】封装/厂家_NTD4965N-1G中文资料_价格

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型号： NTD4965N-1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4965N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4965N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4965N-1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTD4965N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4965N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD4965N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A，脉冲可达240A）及快速开关特性。其典型应用场景包括：

1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升；  
2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥或半桥开关，支持高频PWM调速；  
3. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、打印机、LED照明等设备中用作高效、低损耗的主电源开关或热插拔保护器件；  
4. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、便携式设备中的充放电路径控制及过流保护；  
5. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：NTD4965N-1G为工业级，非车规；若需车规应用，应选用其车规衍生型号如NVTD4965N），但常用于车载充电器、风扇控制等非安全关键场景。

该器件具备良好的雪崩耐受能力、低栅极电荷（Qg≈48 nC），利于高频驱动和减小驱动损耗，配合优化PCB布局可实现紧凑高效的功率设计。

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