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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTD4904N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4904N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4904N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4904N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4904N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4904N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4904N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 28 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 76 A，脉冲）、快速开关特性及良好的热稳定性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的主开关或同步整流管，提升效率（尤其在12V输入、3.3V/5V输出的通信与工业电源中）； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速电路（如电动工具、风扇、打印机）； - 负载开关与电源管理：用作板级电源的热插拔保护、电池供电设备的背光LED驱动或USB端口限流开关； - 消费电子与计算设备：常见于笔记本电脑主板、显卡供电模块、机顶盒及网络设备中的高效电源管理单元（PMU）； - 照明控制：支持LED恒流驱动或调光电路中的高速开关控制。 该器件具备100%雪崩能量额定值（UIS），增强了系统鲁棒性；逻辑电平兼容（VGS(th) ≈ 1.5–2.5 V），可直接由MCU或驱动IC控制，简化设计。需注意PCB布局散热与栅极驱动优化以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 79 A |
| Id-连续漏极电流 | 79 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4904N-1G |
| 产品型号 | NTD4904N-1G |
| Pd-PowerDissipation | 2.6 W |
| Pd-功率耗散 | 2.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 76 S |
| 配置 | Single |
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