Datasheet下载- 型号： NTD4857N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4857N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4857N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4857N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4857N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4857N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4857N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅11.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=60A，脉冲可达240A）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM调速； 3. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、打印机、智能电表等设备中用作主电源/外设供电的高效电子开关，具备过流和热保护兼容性； 4. LED照明驱动：用于恒流LED驱动器的开关管，实现高效率、低EMI调光控制； 5. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备或轻型储能系统中承担充放电路径控制与保护功能。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、优异的dv/dt抗扰性及宽安全工作区（SOA），适合中高频率（≤500 kHz）、中等功率（通常<100W）的硬开关应用。需注意合理设计PCB散热焊盘与栅极驱动（推荐12V驱动以确保充分增强），并避免雪崩应力超限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 12A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4857N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.31W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 78A （Tc） |
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