Datasheet下载- 型号： NTD4854N-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4854N-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4854N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4854N-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4854N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4854N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4854N-35G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.5 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID连续达75A）及优良的开关性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动模块（如打印机、电动工具、家电风扇控制），支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、POS终端、嵌入式系统中用作高效、低损耗的主/辅电源开关或热插拔保护； - LED照明驱动：作为恒流源开关管，配合控制器实现高效率、低EMI的LED调光与驱动； - 电池管理系统（BMS）：用于锂电池组的充放电保护电路中，承担过流/短路保护的主开关角色。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS额定值）、100% Rg测试及无铅环保设计，适合高可靠性、高功率密度要求的中低压（30V VDS）应用。需注意PCB布局优化散热，并合理设计栅极驱动以抑制振铃、确保快速开关。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4854N-35G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.43W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15.7A （Ta）， 128A （Tc） |
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