Datasheet下载- 型号： NTD4815NHT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4815NHT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4815NHT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4815NHT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4815NHT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4815NHT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4815NHT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度及良好热稳定性。其额定电压为30V，连续漏极电流达9.5A（Tc=25℃），适用于中低压、中电流的高效开关场景。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），如笔记本电脑主板供电、PoE受电设备（PD）电源管理模块； ✅ 负载开关与电源路径管理：在便携式设备（如移动电源、工业手持终端）中实现电池充放电路径控制或外设供电启停； ✅ 电机驱动：驱动小型直流有刷电机（如风扇、微型泵、自动门锁执行器），尤其适合PWM调速应用； ✅ LED照明驱动：作为恒流/调光开关元件，用于智能LED灯条或背光驱动电路； ✅ 嵌入式系统电源管理：在FPGA、MCU或传感器模块中提供局部电源的快速使能/关断，提升能效与系统响应性。 该器件具备100%无铅、符合RoHS标准，且内置ESD保护（HBM 2kV），适合对可靠性与环保要求较高的工业及消费类电子设计。其SOT-223封装兼顾散热性与PCB空间效率，便于手工焊接与自动化贴装。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4815NHT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 845pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD4815NHT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.26W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.9A （Ta）， 35A （Tc） |
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