Datasheet下载- 型号： NTD4810N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4810N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4810N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4810N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4810N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4810N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4810N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 9.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高连续漏极电流（ID = 60 A）和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于服务器、通信设备及工业电源中的高效POL（Point-of-Load）模块。 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路，承担高频PWM开关任务，兼顾效率与热性能。 3. 负载开关与电源管理：在主板、嵌入式系统中用作板级电源的智能负载开关，支持热插拔、过流保护及软启动功能（配合外部控制电路）。 4. LED照明驱动：用于恒流LED驱动器的开关元件，满足高频率、低损耗要求，提升能效与可靠性。 5. 电池管理系统（BMS）：可作为充放电回路中的主控开关或保护开关，配合保护IC实现过流/短路防护。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、强雪崩耐受能力及符合RoHS标准，适合对可靠性与能效要求较高的中高功率应用。需注意PCB布局散热设计（如充分铺铜）以保障其在60A峰值电流下的稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4810N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 54A （Tc） |
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