Datasheet下载- 型号： NTD4809NA-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4809NA-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4809NA-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4809NA-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4809NA-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4809NA-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4809NA-35G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为12.5 mΩ @ Vgs=10V）、额定电压30V、连续漏极电流达56A（Tc=25℃），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的主开关或同步整流管，提升效率（尤其在12V输入、3.3V/5V输出的通信电源、服务器VRM模块中）； ✅ 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、工业控制板、智能电表等设备中，用作高效、低功耗的电源通断控制； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流有刷电机（如风扇、泵、办公自动化设备）的H桥或单边驱动； ✅ LED照明驱动：作为恒流调光或PWM调光的高速开关元件； ✅ 电池保护与充电电路：在便携式设备（如POS机、手持终端）中配合保护IC实现充放电路径控制。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.0V），可直接由MCU GPIO（3.3V/5V）驱动，简化外围设计；内置ESD保护及雪崩耐量（EAS=125mJ），提升系统鲁棒性。需注意PCB布局时加强散热（大面积覆铜）以保障高负载下的可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4809NA-35G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1456pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta）， 58A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTD4809NA-35G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商