Datasheet下载- 型号： NTD3817NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3817NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3817NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD3817NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3817NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3817NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3817NT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为45 mΩ @ Vgs=10V）、额定漏源电压Vds=60V、连续漏极电流Id=5.3A（Tc=25°C），适合中等功率开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：常用于降压（Buck）转换器的同步整流或主开关管，尤其适用于工业电源、通信电源模块中的次级侧开关。 ✅ 电机控制：驱动小型直流电机、步进电机或风扇，如打印机、扫描仪、智能家电中的电机驱动电路。 ✅ 负载开关与电源管理：在嵌入式系统或便携设备中用作高效、低功耗的电源通断控制（如USB供电开关、电池保护电路中的充放电路径管理）。 ✅ LED驱动：用于中功率LED恒流驱动电路中的PWM调光开关管。 ✅ 逆变器与电源辅助电路：在UPS、太阳能微逆变器的辅助电源或栅极驱动电路中提供可靠开关功能。 该器件具备良好的热性能（SOT-223封装利于散热）、快速开关特性及雪崩耐受能力，适用于对效率、尺寸和可靠性有要求的中低压、中电流场合。不推荐用于高频大功率（如>100kHz/10A以上）或高压冲击环境，需配合合理驱动与PCB布局以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3817NT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 702pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.9 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Ta）， 34.5A （Tc） |
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