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- 型号： NTD3817N-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3817N-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3817N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD3817N-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3817N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3817N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3817N-35G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，典型导通电阻Rds(on)低至3.5mΩ（Vgs=10V），额定漏源电压Vds为30V，连续漏极电流Id达90A（Tc=25°C），具备高效率、低热阻和快速开关特性。 其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK转换器、POL（Point-of-Load）模块及服务器/通信设备的板级电源中，提升转换效率并减小散热需求； - 电机驱动电路：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动、风扇控制等，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、工业控制板、嵌入式系统中用作主电源通断开关或热插拔保护器件； - 电池管理系统（BMS）：用于锂电池充放电路径控制及过流保护电路； - LED照明驱动：作为恒流驱动中的开关管，配合控制器实现高效调光与稳压。 该器件具有低栅极电荷（Qg≈64nC）、强雪崩耐量及符合RoHS标准，适合高可靠性、高功率密度的设计需求。需注意PCB布局时优化散热焊盘设计，并合理匹配驱动能力以确保开关性能与EMI控制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3817N-35G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 702pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.9 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Ta）， 34.5A （Tc） |
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