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- 型号： NTD3817N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3817N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3817N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD3817N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3817N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3817N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3817N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 26 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 14 A连续，35 A脉冲）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），如主板VRM、PoE供电模块、工业电源等，兼顾效率与热性能； - 负载开关与电源管理：在便携设备、LED驱动、电机控制板中用作高效电子开关，实现上电时序控制、过流保护及待机功耗优化； - 电池供电系统：适用于12 V/24 V车载电子、电动工具、UPS等，耐受一定雪崩能量（EAS = 75 mJ），提升系统鲁棒性； - 辅助电源与接口保护：在AC-DC适配器次级侧、USB PD协议电路中作为隔离/反向电流阻断器件。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +175°C），具备良好的热稳定性与ESD防护能力，适合空间受限且需中等功率密度的工业及消费类应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3817N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 702pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.9 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Ta）， 34.5A （Tc） |
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