Datasheet下载- 型号： NTD3813NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3813NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3813NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD3813NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3813NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3813NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3813NT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为22 mΩ @ Vgs=10V）、额定漏源电压Vds=30V、连续漏极电流Id=7.5A（Tc=25°C），适合中低功率开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其在便携式设备、主板VRM、LED驱动电源等对效率和热性能有要求的场合； ✅ 负载开关与电源管理：用于电池供电设备中的电源路径控制、USB端口过流保护、背光/电机/传感器等外设的供电启停控制； ✅ 工业与消费类电子：如打印机、机顶盒、网络设备中的板级电源分配、LED照明调光驱动、小型直流电机控制（如风扇、泵）； ✅ 汽车电子（AEC-Q101兼容版本需确认，但该型号为标准工业级）：适用于非安全关键的车载信息娱乐系统、车身控制模块中的辅助电源开关。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、快速开关特性及SOT-223封装带来的良好散热性与PCB布局灵活性，适用于空间受限且需兼顾成本与性能的中等电流开关场景。注意设计时应合理匹配栅极驱动（避免米勒效应引起的误导通）并做好PCB铜箔散热设计以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3813NT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 963pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.75 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta）， 51A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTD3813NT4G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商