Datasheet下载- 型号： NTD3813N-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3813N-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3813N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD3813N-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3813N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3813N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3813N-35G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有30V耐压、额定连续漏极电流达60A（Tc=25°C）、典型导通电阻Rds(on)低至3.5mΩ（Vgs=10V），具备快速开关特性与优良热性能。 该器件主要适用于中高电流、中低压直流电源管理场景，典型应用包括： - DC-DC转换器：如同步降压（Buck）转换器的主开关或同步整流管，提升效率并减小温升； - 电机驱动电路：用于小型有刷直流电机、步进电机或风扇的H桥/半桥驱动，支持高频PWM调速； - 电源负载开关：在笔记本电脑、工业控制板、网络设备等中实现板级电源的智能启停与过流保护； - 电池管理系统（BMS）：作为充放电路径的主控开关，配合保护IC实现短路与过载防护； - LED驱动电源：用于恒流驱动电路中的开关元件，提高能效与可靠性。 其低Rds(on)和优化的栅极电荷（Qg≈25nC）有助于降低导通损耗与开关损耗，适合工作频率在100kHz–1MHz范围内的高效开关应用。需注意PCB布局时加强散热（建议大面积覆铜焊盘）并合理设计栅极驱动（避免振荡），以充分发挥性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3813N-35G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 963pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.75 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta）， 51A （Tc） |
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