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- 型号： NTD3813N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3813N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3813N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD3813N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3813N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3813N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3813N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅14 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度和良好热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于中等功率（如10–50W）的工业电源、通信设备电源模块及嵌入式系统供电。 - 电机驱动控制：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的H桥驱动电路中的功率开关，支持PWM调速，常见于电动工具、风扇、打印机及家用电器。 - 负载开关与电源管理：作为板级电源的智能开关，用于上电时序控制、热插拔保护或电池供电系统的负载切断（如便携设备、IoT终端）。 - LED驱动电路：在恒流LED驱动器中作开关元件，实现高效调光控制（PWM dimming）。 该器件额定电压为30V，连续漏极电流达7.5A（Tc=25℃），具备雪崩耐量（UIS rated），可靠性高，适合中低压、中电流的高频开关应用。需注意PCB布局散热设计，以确保在高温环境下稳定工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3813N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 963pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.75 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta）， 51A （Tc） |
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