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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTD3808NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3808NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3808NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD3808NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3808NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3808NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3808NT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为28 mΩ @ Vgs=10V）、额定漏源电压Vds=30V、连续漏极电流Id=7.5A（Tc=25°C），适合中低功率开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：如笔记本电脑、机顶盒、路由器等设备中的同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），利用其低Rds(on)和快速开关特性提升效率； ✅ 负载开关与电源管理：用于主板或嵌入式系统中的板级电源分时控制（如USB供电开关、模块上电时序管理）； ✅ 电机驱动电路：适用于小型直流电机（如风扇、打印机步进电机驱动中的H桥低端驱动）或继电器驱动； ✅ LED驱动与背光控制：在LED恒流驱动或PWM调光电路中作为高速开关元件； ✅ 电池保护与充电管理：在便携设备电池充放电路径中作充放电开关或过流保护开关（需配合保护IC使用）。 该器件具备良好的热性能（SOT-223可焊接到大面积铜箔散热）、雪崩耐受能力及ESD防护，可靠性高。因其封装尺寸小、成本适中、驱动简单（标准逻辑电平兼容，Vgs(th) 1–2.5V），广泛用于消费电子、工业控制及通信电源等对空间、效率与成本敏感的中低功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3808NT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1660pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 76A （Tc） |
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