Datasheet下载- 型号： NTB6412ANG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB6412ANG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB6412ANG价格参考。ON SemiconductorNTB6412ANG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB6412ANG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB6412ANG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB6412ANG 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用D²PAK（TO-263）封装，具有60V耐压、190A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.8mΩ @ Vgs=10V），并具备高雪崩能量耐受能力与快速开关特性。 其主要应用场景包括： ✅ 中大功率DC-DC转换器（如服务器/通信电源的同步整流、POL模块），利用其低Rds(on)和高电流能力提升效率； ✅ 电机驱动系统（如电动工具、风机、泵类BLDC或有刷电机的H桥下管），支持高频PWM控制与峰值电流冲击； ✅ 电池管理系统（BMS）中的充放电保护电路与主回路开关，得益于其强鲁棒性与过载/短路耐受能力； ✅ 工业电源与UPS系统中的输入/输出侧功率开关，满足高可靠性与热稳定性要求； ✅ LED驱动电源（大功率恒流驱动拓扑）及车载辅助电源（符合AEC-Q101应力测试标准，适用于部分车载非安全关键场景）。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th) 2–4V），可直接由MCU或驱动IC控制，配合优化的栅极电荷（Qg≈110nC），兼顾开关速度与EMI表现。需注意在高电流应用中加强PCB散热设计（大面积铜箔+过孔散热）。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB6412ANG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18.2 毫欧 @ 58A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 167W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 58A （Tc） |
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