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- 型号： NTB5412NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB5412NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB5412NT4G价格参考。ON SemiconductorNTB5412NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB5412NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB5412NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB5412NT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅18 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=60A连续，脉冲达240A）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、打印机、POS终端等设备中用作高效、低损耗的主电源开关或热插拔保护器件； - LED照明驱动：作为恒流/调光控制中的开关元件，配合控制器实现高效、低噪声调光； - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、反向电流阻断及过流保护功能。 该器件具备雪崩耐量（UIS额定），增强了系统鲁棒性；符合AEC-Q101（部分批次），亦可用于车载辅助系统（如车灯控制、风扇驱动等非主驱场景）。需注意合理设计栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）及PCB散热布局以发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB5412NT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 0V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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