Datasheet下载- 型号： NTB23N03RT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB23N03RT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB23N03RT4G价格参考。ON SemiconductorNTB23N03RT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB23N03RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB23N03RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB23N03RT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有30V耐压、23A连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on)典型值为22mΩ @ Vgs=10V），以及快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的主开关或同步整流管，提升效率（尤其在12V输入、3.3V/5V输出的POL电源中）； ✅ 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机控制（如风扇、打印机、电动工具驱动模块），支持PWM调速； ✅ 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工业控制板中用作高效、低损耗的板级电源通断控制（如USB供电开关、背光LED驱动电源开关）； ✅ 电池保护与充电电路：可用于便携设备（如POS机、手持终端）的电池充放电路径管理，配合保护IC实现过流/短路防护； ✅ LED照明驱动：作为恒流源开关或调光MOSFET，适用于低压LED灯条或智能照明模块。 该器件具备良好的热性能（DPAK封装利于散热）、雪崩耐受能力及RoHS合规性，适合高可靠性、中等功率密度的工业与消费类应用。注意设计时需合理布局PCB散热焊盘，并确保栅极驱动电压（推荐10V）及瞬态抑制（如TVS）以保障长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR N-CHAN 25V 23A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB23N03RT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.76nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB23N03RT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 37.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Ta） |
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