Datasheet下载- 型号： NTB23N03R
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB23N03R由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB23N03R价格参考。ON SemiconductorNTB23N03R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB23N03R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB23N03R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB23N03R 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有30V耐压、23A连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅18mΩ @ Vgs=10V）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的主开关或同步整流管，提升效率并减小热损耗； - 电机驱动电路：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动中的H桥或半桥高边/低边开关； - 负载开关与电源管理：在便携设备、工业控制板中用作高效电子保险丝、热插拔保护或电池供电系统的电源通断控制； - LED驱动与照明系统：作为恒流调光开关或PWM调光主控器件，支持高频开关以减少闪烁； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车载风扇、水泵、尾灯控制等12V系统。 该器件具备良好的雪崩耐受能力与ESD防护，配合优化的栅极电荷（Qg≈24nC），利于降低驱动损耗和EMI。设计时建议搭配合适栅极驱动器，并注意PCB散热布局以保障持续大电流下的温升安全。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB23N03R |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.76nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 37.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Ta） |
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