Datasheet下载- 型号： NSVMSD42WT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMSD42WT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMSD42WT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMSD42WT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMSD42WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMSD42WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSVMSD42WT1G的晶体管属于安森美半导体（ON Semiconductor）的双极结型晶体管（BJT），属于单BJT器件。该器件主要应用于需要高频响应和低电压、低电流工作的电路中，常见于以下几种应用场景： 1. 射频（RF）放大电路：该晶体管具有良好的高频特性，适用于射频信号的放大，常用于无线通信设备、射频模块等。 2. 低噪声前置放大器：由于其低噪声特性，适合用于音频或射频信号的前置放大，以提高信号质量和系统灵敏度。 3. 开关电路：该晶体管可在高速开关应用中使用，例如数字逻辑电路、驱动LED或小型继电器等负载。 4. 通信设备中的信号处理电路：在蜂窝通信、Wi-Fi模块、蓝牙模块等设备中，用于信号的调制与解调、放大和切换。 5. 汽车电子系统：作为符合汽车行业标准的器件，NSVMSD42WT1G也可用于汽车电子控制单元（ECU）、传感器接口电路和车载通信模块中。 该晶体管采用小外形封装（如SOT-23），适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业和汽车级工作温度范围。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 300V SC70 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMSD42WT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 30mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | - |
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