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  • 型号: NSV40300MZ4T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSV40300MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV40300MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSV40300MZ4T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSV40300MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSV40300MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSV40300MZ4T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管具有高电压和高电流特性,适用于需要高效功率转换和管理的场景。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)中的功率开关元件,实现高效的电能转换。
2. 电机驱动:在直流电机或步进电机驱动电路中作为功率放大元件,控制电机转速和方向。
3. 照明系统:应用于LED照明或高强度放电灯(HID)的驱动电路中,提供稳定电流控制。
4. 汽车电子:用于车载电源系统、继电器驱动或车载充电器等场景,满足汽车环境对可靠性和耐压能力的要求。
5. 工业控制:在工业自动化设备中作为开关元件,用于控制继电器、电磁阀或其他高功率负载。

该晶体管采用表面贴装封装(如DPAK),便于自动化生产和散热管理,适合中高功率应用。其高耐压(400V)和较大电流能力(30A)使其在多种功率电子系统中具有广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP BIPO 40V 3A SOT223

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSV40300MZ4T1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 300mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

175 @ 1A,1V

供应商器件封装

*

功率-最大值

2W

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

晶体管类型

PNP

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

160MHz

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