Datasheet下载- 型号： NST857BF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NST857BF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST857BF3T5G价格参考。ON SemiconductorNST857BF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NST857BF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NST857BF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NST857BF3T5G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于单BJT产品类别。该器件采用SOT-23F小外形封装，具有体积小、可靠性高和开关性能优良的特点，广泛应用于便携式电子设备和高密度电路设计中。 NST857BF3T5G的主要应用场景包括： 1. 开关电路：适用于低电压、低电流的开关应用，如LED驱动、电源管理开关、继电器或负载控制等，其快速开关响应能力有助于提高系统效率。 2. 信号放大：可用于音频信号或传感器微弱信号的前置放大电路，适用于消费类电子产品中的模拟信号处理。 3. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压逻辑之间的电平转换，常见于微控制器与外围器件之间的接口电路。 4. 便携式设备：由于其小型封装和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的产品中。 5. 电源控制模块：作为线性稳压器或DC-DC转换器中的辅助控制元件，用于偏置电路或保护电路中。 该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合自动化贴片生产。凭借安森美在半导体领域的技术优势，NST857BF3T5G在工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子中的非动力系统中均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP GP SOT-1123两极晶体管 - BJT SNGL PNP GP TRA SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST857BF3T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NST857BF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 700mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 220 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 290mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 封装/箱体 | SOT-1123 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 347 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 220 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 220 at 2 mA at 5 V |
| 系列 | NST857BF3T5G |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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