Datasheet下载- 型号： NST3946DXV6T5
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NST3946DXV6T5由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST3946DXV6T5价格参考。ON SemiconductorNST3946DXV6T5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NST3946DXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NST3946DXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NST3946DXV6T5 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-563封装（6引脚），内部集成两个独立的NPN晶体管（配对结构），其电气特性与经典2N3904/NST3904高度兼容，并优化了匹配性与小型化设计。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备中的信号切换与逻辑电平转换——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，用于驱动LED指示灯、按键扫描电路或I/O端口扩展； 2. 电源管理辅助电路——在DC-DC转换器或LDO中用作使能控制（EN/SS）、过流检测比较器的输入级或输出级放大器； 3. 接口保护与缓冲——在UART、I²C等低速数字接口中提供电流缓冲、电平适配或ESD钳位辅助功能； 4. 传感器信号调理前端——配合运放或MCU ADC，对温度、光敏等模拟传感器微弱信号进行预放大或开关选通； 5. 空间受限的工业控制模块——如PLC I/O子板、电机驱动板上的状态反馈隔离、继电器/小功率MOSFET栅极驱动等。 该器件具有高增益（hFE 100–300 @ IC = 10 mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.2 V）、良好热稳定性及±2 kV HBM ESD防护能力，支持-55°C 至 +150°C工作温度范围，适用于消费类、工业及汽车电子（非安全关键系统）等对尺寸、可靠性和成本敏感的应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NST3946DXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NST3946DXV6T5OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 300MHz，250MHz |
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