Datasheet下载- 型号： NST3906DXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NST3906DXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST3906DXV6T1价格参考。ON SemiconductorNST3906DXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NST3906DXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NST3906DXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NST3906DXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-563封装，内含两个独立的PNP型晶体管（匹配对），其电气特性与经典PNP晶体管MMBT3906高度兼容。 该器件主要适用于空间受限、需双路匹配开关或放大功能的低功耗便携式电子系统。典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与信号反相：利用其开关特性实现I/O接口电平匹配（如3.3 V ↔ 5 V系统间驱动）； - LED驱动与背光控制：双通道可分别驱动两路小电流LED（≤200 mA集电极电流），支持PWM调光； - 传感器信号调理电路：作为差分对或电流镜中的匹配晶体管，提升温度稳定性与一致性； - 电源管理辅助电路：用于负载开关、电池充放电状态指示、LDO使能控制等； - 消费类电子板级设计：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，替代分立器件以节省PCB面积并简化BOM。 其SOT-563超小型封装（1.6 × 1.6 mm）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.4 V @ IC=50 mA）、高直流电流增益（hFE = 100–300）及良好的热匹配性，使其在紧凑型、成本敏感型应用中具备显著优势。注意：不适用于大功率或高频射频场景，最大fT约250 MHz，属通用中低频范畴。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 40V 200MA SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NST3906DXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NST3906DXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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