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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NST3904DXV6T5
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NST3904DXV6T5由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST3904DXV6T5价格参考。ON SemiconductorNST3904DXV6T5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NST3904DXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NST3904DXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NST3904DXV6T5 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-563封装（6引脚），内含两个独立的NPN型晶体管（配对结构），其电气特性与经典分立器件2N3904/NST3904高度兼容。 典型应用场景包括： 1. 信号切换与逻辑电平转换：利用其低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.2V @ Ic=10mA）和快速开关特性（tf ≈ 50ns），适用于微控制器GPIO驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极预驱； 2. 差分放大与电流镜电路：配对设计保障参数一致性，适合精密模拟前端中的偏置生成、有源负载或简易电流镜； 3. 接口保护与ESD容限增强：SOT-563封装体积小（1.6×1.6×0.55mm），配合内置基极-发射极电阻（部分版本可选，但NST3904DXV6T5为无阻版本，需外接），常用于通信接口（如UART、I²C）的缓冲隔离； 4. 便携式与空间受限设备：广泛应用于智能手机周边电路、可穿戴设备、物联网传感器节点等对尺寸和功耗敏感的场景。 该器件工作结温范围为–55°C至+150°C，具备良好热稳定性与可靠性，符合AEC-Q101标准（具体以数据手册标注为准），亦可用于汽车电子辅助系统。使用时建议参考官方DS（如EN3904-D），注意散热及基极限流设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NST3904DXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NST3904DXV6T5OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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