Datasheet下载- 型号： NSS60601MZ4T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS60601MZ4T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS60601MZ4T3G价格参考。ON SemiconductorNSS60601MZ4T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSS60601MZ4T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS60601MZ4T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223两极晶体管 - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS60601MZ4T3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS60601MZ4T3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 600mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
| 系列 | NSS60601MZ4 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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