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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS60601MZ4T3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS60601MZ4T3G价格参考。ON SemiconductorNSS60601MZ4T3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS60601MZ4T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS60601MZ4T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS60601MZ4T3G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。以下是该型号可能的应用场景: 1. 开关电路 - NSS60601MZ4T3G 可用于设计高效的开关电路,例如在电源管理模块中控制负载的通断。其低饱和电压和快速开关特性使其非常适合需要高频开关操作的应用。 2. 信号放大 - 作为 BJT 晶体管,它能够对微弱信号进行放大。适用于音频设备、传感器信号调理电路以及其他需要高增益放大的场景。 3. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,该晶体管可以用作功率放大级,以提供足够的电流来驱动电机运转。 4. 电源管理 - 它可以应用于线性稳压器或电池充电电路中,调节输出电压或电流,确保设备稳定运行。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等安全功能中,NSS60601MZ4T3G 可充当关键元件,检测异常情况并切断电路以避免损坏其他组件。 6. 消费电子领域 - 包括家用电器、遥控器、玩具等产品中的简单控制逻辑实现。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统里,用作继电器驱动、光电耦合器接口或者隔离放大等功能单元的一部分。 综上所述,NSS60601MZ4T3G 凭借其出色的性能参数,在众多电子项目中均能找到合适的位置。具体选择时还需根据实际需求考量如工作频率、功耗限制等因素。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223两极晶体管 - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS60601MZ4T3G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS60601MZ4T3G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 600mA,6A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1A,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 2000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 6A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 150 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
系列 | NSS60601MZ4 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 100 V |
频率-跃迁 | 100MHz |