Datasheet下载- 型号： NSS20201LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS20201LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS20201LT1G价格参考。ON SemiconductorNSS20201LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSS20201LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS20201LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（现为安森美半导体）的NSS20201LT1G是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。它是一种NPN型晶体管，适用于多种电子电路设计场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关应用 - NSS20201LT1G可以作为电子开关使用，广泛应用于数字电路中，例如驱动继电器、LED、小型电机等负载。 - 在电源管理电路中，可以用作低边开关，控制电流的通断。 2. 信号放大 - 该晶体管适用于小信号放大的场景，例如音频信号放大器或传感器信号调理电路。 - 它能够将微弱的输入信号放大到更高的电平，以便后续处理或驱动其他设备。 3. 电流检测与保护 - 在过流保护电路中，NSS20201LT1G可以用作电流检测元件，监测电路中的电流是否超过设定阈值。 - 当检测到过流时，触发保护机制以防止设备损坏。 4. 驱动电路 - 可用于驱动低功率负载，如小型步进电机、电磁阀或蜂鸣器。 - 在某些情况下，也可以作为驱动级晶体管，用于推动更高功率的输出级。 5. 脉宽调制（PWM）控制 - 在PWM控制电路中，该晶体管可以用作开关元件，调节输出电压或电流，实现对LED亮度、电机速度等的控制。 6. 射频和通信应用 - 虽然主要针对低频应用，但在某些低功率射频前端电路中，也可用作信号调节或增益级元件。 特性优势： - 高增益：适合需要高电流放大倍数的应用。 - 低饱和电压：在开关应用中可降低功耗。 - 可靠性高：适用于工业和消费类电子产品。 典型应用领域： - 消费类电子产品（如遥控器、玩具） - 工业控制（如传感器接口、继电器驱动） - 汽车电子（如指示灯驱动、简单控制电路） - 通信设备（如低功率信号调理） 总之，NSS20201LT1G凭借其高性能和稳定性，适用于各种低功率、通用型的电子电路设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 20V 4A SOT-23两极晶体管 - BJT QUAD 2CH MULTIPLEXER |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS20201LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS20201LT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NSS20201LT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 540 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | NSS20201L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.004 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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