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NSS20101JT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS20101JT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS20101JT1G价格参考。ON SemiconductorNSS20101JT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 1A 350MHz 300mW 表面贴装 SC-89-3。您可以下载NSS20101JT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS20101JT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS20101JT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型。该型号广泛应用于各种电子电路中,以下为其主要应用场景: 1. 开关应用 - NSS20101JT1G 可用作电子开关,在数字电路中控制负载的通断。例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中,它能够根据输入信号快速切换状态。 - 其低饱和电压特性使其在高效开关应用中表现出色。 2. 信号放大 - 作为一款高性能的 BJT,NSS20101JT1G 能够用于音频信号放大器、射频(RF)信号放大以及传感器信号调理等场景。 - 它具有较高的增益(hFE),适合需要高电流放大的应用。 3. 电源管理 - 在线性稳压器(LDO)或 DC-DC 转换器的辅助电路中,该晶体管可用于电流检测、过流保护或温度补偿等功能。 - 它还可以用作电流源或电流镜,以稳定输出电压和电流。 4. 通信设备 - NSS20101JT1G 的高频特性使其适用于通信领域的调制解调器、收发器和其他高频信号处理电路。 - 它可以用于射频前端模块中的小信号放大或匹配网络。 5. 消费类电子产品 - 在家用电器(如遥控器、风扇控制器、音响设备等)中,该晶体管可实现简单的开关和放大功能。 - 它也常用于玩具、电子学习工具等低成本产品的控制电路中。 6. 工业自动化 - 在工业控制领域,NSS20101JT1G 可用于 PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口或执行器驱动电路中。 - 其可靠性高且耐受性强,适合恶劣环境下的长期运行。 7. 汽车电子 - 尽管 NSS20101JT1G 不是车规级器件,但在某些非关键汽车应用中(如车内照明、娱乐系统等),它可以提供稳定的性能。 总之,NSS20101JT1G 凭借其出色的电气特性和性价比,成为许多低功率和中功率应用的理想选择。具体使用时需根据实际需求考虑散热设计和外围电路匹配。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 20V 1A SC-89两极晶体管 - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS20101JT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS20101JT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 220mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 100mA,2V |
产品种类 | Amplifiers- Operational |
供应商器件封装 | SC-89-3 |
其它名称 | NSS20101JT1GOSDKR |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 350 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
封装/箱体 | SC-89 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 m at 2 V, 200 at 100 mA at 2 V, 150 at 500 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V |
系列 | NSS20101J |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
频率-跃迁 | 350MHz |