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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12501UW3T2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12501UW3T2G价格参考。ON SemiconductorNSS12501UW3T2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS12501UW3T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS12501UW3T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS12501UW3T2G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用小型化表面贴装SC-70(SOT-323)封装,适合高密度印刷电路板设计。该器件主要用于低电压、低电流的开关和放大应用。 典型应用场景包括:便携式电子设备中的信号开关与逻辑驱动,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LED驱动、电源管理开关、传感器信号调理等;在消费类电子产品中用于音频或控制信号的小信号放大;还可作为数字逻辑电路中的电平转换或驱动元件,适用于需要节能和小尺寸设计的场合。 由于其低饱和压降和良好的开关特性,NSS12501UW3T2G特别适合电池供电设备,有助于延长续航时间。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,广泛应用于工业控制、通信模块和家用电器中的小型电子控制单元。 总之,NSS12501UW3T2G凭借其小型封装、低功耗和高可靠性,是现代微型电子系统中理想的通用开关和放大元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 12V 7A 3-WDFN两极晶体管 - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS12501UW3T2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS12501UW3T2G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 120mV @ 400mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2A,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 3-WDFN(2x2) |
其它名称 | NSS12501UW3T2GOSDKR |
功率-最大值 | 875mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 150 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | WDFN |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1500 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
系列 | NSS12501UW3 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
集电极—基极电压VCBO | 12 V |
频率-跃迁 | 150MHz |