Datasheet下载- 型号： NSM21356DW6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSM21356DW6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSM21356DW6T1G价格参考。ON SemiconductorNSM21356DW6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSM21356DW6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSM21356DW6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSM21356DW6T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道NPN型预偏置双极晶体管阵列（内置基极-发射极电阻），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装。其典型应用场景包括： • 通用逻辑电平转换与信号缓冲：适用于微控制器（如STM32、PIC、ESP32）GPIO驱动能力不足时，将低电流逻辑信号（如3.3V/5V TTL/CMOS）安全、可靠地转换为可驱动LED、小功率继电器、光耦输入或MOSFET栅极的开关信号。 • LED驱动与指示电路：双通道结构便于驱动两个独立LED（如电源状态+通信状态），内置4.7kΩ基极上拉和10kΩ下拉电阻，简化外围设计，无需外接偏置电阻，节省PCB面积并提升一致性。 • 小功率负载开关：可替代分立三极管+电阻方案，用于控制≤100mA直流负载（如蜂鸣器、小型电磁阀、传感器使能端），具备快速开关特性（t<100ns）及良好饱和性能（hFE典型值80–200）。 • 电池供电设备中的省电设计：低待机电流（IB≈0.3μA @ VBE=0V）、高输入阻抗，适合便携式设备（如IoT传感器节点、无线遥控器）中需长期待机的接口电路。 • 工业与消费类电子板级接口保护：集成ESD防护（HBM ±2kV），增强系统鲁棒性；符合AEC-Q101（汽车级）认证，亦可用于车载信息娱乐系统的非关键信号调理环节。 该器件优势在于高度集成、尺寸紧凑、BOM精简、可靠性高，特别适合空间受限、成本敏感且需快速开发的中低功耗数字接口应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSM21356DW6T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA / 650mV @ 5mA， 100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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