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产品简介:
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NSBC144EPDXV6T5 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻(含R1=10kΩ、R2=10kΩ),采用SOT-563(6引脚小尺寸封装),含两个独立的NPN通道,具备高增益、低饱和压降和优良的开关特性。 其典型应用场景包括: • 数字逻辑电平转换与接口驱动:如微控制器(MCU)GPIO直接驱动LED、小型继电器或蜂鸣器,无需外置基极限流电阻,简化PCB设计; • 多路信号开关/选通电路:在便携式设备(如智能穿戴、IoT传感器节点)中用于控制多路低功耗外设的使能/关闭; • 电池供电设备的电源管理:作为负载开关(Load Switch)控制子模块供电,降低待机功耗(典型ICEX < 100nA),延长电池寿命; • 工业控制板卡中的隔离输入缓冲:配合上拉/下拉配置,实现抗干扰的按键检测、开关状态采样等数字输入调理; • 汽车电子辅助电路:符合AEC-Q101可靠性标准(该型号为车规级),适用于车身控制模块(BCM)中非安全相关的LED指示、风扇调速信号预处理等。 该器件集成度高、节省空间、提升组装良率,特别适合对尺寸、BOM成本和设计周期敏感的中低功率嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC144EPDXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC144EPDXV6T5OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |