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- 型号： NSBC143ZPDXV6T5
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC143ZPDXV6T5由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC143ZPDXV6T5价格参考。ON SemiconductorNSBC143ZPDXV6T5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC143ZPDXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC143ZPDXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC143ZPDXV6T5 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=47 kΩ、R2=47 kΩ），采用SOT-563（SC-89）超小型封装，含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DDT）。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（MCU）、FPGA或DSP的GPIO扩展，将低电流逻辑信号（如1.8V/3.3V）安全、可靠地转换为足够驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极的开关信号。 2. LED驱动电路：常用于消费电子（如手机背光指示、键盘背光、状态灯）及工业HMI面板中，直接驱动单颗或多颗小功率LED，省去外置基极电阻，简化PCB布局并提升一致性。 3. 信号切换与负载开关：在便携式设备（TWS耳机、可穿戴设备）中作为低功耗、高集成度的信号通断开关，控制传感器供电、通信模块使能等。 4. 输入信号调理：用于按键消抖、开关检测等前端电路，利用其内置电阻实现上拉/限流，增强抗干扰能力与ESD鲁棒性（符合IEC61000-4-2 Level 3标准）。 该器件具备高增益（hFE=30–150）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.3 V @ IC = 10 mA）、宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C），适用于空间受限、强调可靠性与量产一致性的中低功率开关场景。不适用于大电流（>100 mA）或高频放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC143ZPDXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC143ZPDXV6T5OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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