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产品简介:
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NSBC143EDXV6T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个NPN晶体管,每路集成基极-发射极电阻(R1=4.7kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R2=4.7kΩ),采用SOT-563(SC-89)小型封装,支持6引脚配置(双通道共射、独立输入)。 典型应用场景包括: 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动:用于MCU/ASIC输出与继电器、LED、小功率MOSFET栅极等之间的信号缓冲与电流放大,简化外围偏置电路设计; 2. 固态继电器(SSR)与负载开关:驱动中低电流负载(如LED指示灯、蜂鸣器、小型电磁阀),利用其内置电阻实现单电阻控制,提升系统可靠性与PCB空间利用率; 3. 工业I/O模块输入调理:作为PLC或传感器接口的输入信号整形与噪声抑制单元,预偏置结构增强抗干扰能力,减少误触发; 4. 消费电子待机电源控制:在电视、机顶盒等设备中用于低压侧使能/关断辅助电源或背光驱动电路,具备快速开关特性与低静态功耗优势; 5. 汽车电子基础控制:适用于车身控制模块(BCM)中非安全相关的负载管理(如车窗升降指示、门锁状态反馈),满足AEC-Q101基础可靠性要求(该型号通过AEC-Q101认证)。 其集成化设计显著减少元件数量、降低BOM成本与贴装误差,特别适合空间受限、高可靠性及量产导向的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC143EDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 15 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC143EDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |