Datasheet下载- 型号： NSBA143ZDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143ZDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143ZDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA143ZDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA143ZDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA143ZDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA143ZDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，采用SOT-563封装（6引脚），内含两个独立的NPN型数字晶体管（即带内置基极-发射极和基极-电阻的单管），典型配置为R1 = 47 kΩ、R2 = 47 kΩ（标准分压式偏置）。 其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如MCU、FPGA）GPIO端口与外部负载（LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间的缓冲/驱动，简化外围电路设计； - LED指示灯/背光控制阵列：双通道结构适合驱动两路LED，内置电阻省去外置偏置电阻，节省PCB面积并提升一致性； - 低速开关应用：如电源使能控制、信号选通、状态检测等，工作频率通常限于百kHz以内（fₜ ≈ 250 MHz，但开关速度受RC时间常数影响）； - 汽车电子基础模块：符合AEC-Q101认证，适用于车载仪表盘、车身控制模块（BCM）中非安全关键的低压开关功能； - 工业IoT节点与消费类设备：在空间受限的传感器节点、智能家电控制板中实现紧凑、可靠、成本优化的晶体管开关方案。 该器件无需外接偏置电阻，降低BOM成本与贴片误差风险，提高生产良率，特别适合高集成度、中低功耗、对设计简洁性要求高的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA143ZDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA143ZDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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